gordon: Суперпарамагнетизм
Участники:
- Анатолий Константинович Звездин– доктор физико-математических наук
- Константин Анатольевич Звездин– научный сотрудник
Анатолий Звездин: Суперпарамагнетизм относится к более широкой области, чем магнетизм, скорее его можно отнести к науке о наномире, поэтому я предлагаю наш разговор начать с наномира, с нанотехнологии. Сейчас говорят много и пишут много о том, что мы на пороге новой научно-технической революции, нанотехнологической. Ну, звучит это, конечно, немножко скучно. Но это действительно так. Мы пережили уже несколько научно-технических революций. И последняя из них – это микроэлектроника. Но справедливости ради, нужно сказать, что каждая из этих научно-технических революций сильно повлияла на нашу жизнь. Более того, они кардинально изменили нашу жизнь. И поэтому естественно было бы обсудить грядущую нанотехнологическую революцию.Александр Гордон: Все-таки, наверное, не жизнь, а образ жизни.А.З. Образ жизни, да. Но прежде чем говорить об этом, конечно, нужно определить, что такое эти нанофизика и нанотехнология. Обычно, когда говорят о нанотехнологии, нанофизике, то речь идет о создании и исследовании систем или объектов, у которых хотя бы одно измерение, хотя бы один размер находится в интервале между одним нанометром и сотней нанометров. Это определение. Ну, я напомню, нанометр – это 10 в минус девятой метра. Естественно сравнить его с самим атомом. Обычный размер атома два с половиной ангстрема, то есть на одном нанометре могут быть расположены 4 атома примерно. Если мы возьмем кубик со стороной в два с половиной нанометра, то в этом кубике будет всего тысяча атомов, тогда как в привычных нам макроскопических телах число атомов измеряется астрономическими числами. Вот таковы нанообъекты. Таким образом, в этом определении, которое я сделал, главное – размер. Это определение звучит немножко разочаровывающе. Можно сказать, что если дело только в длине, то вряд ли есть необходимость выделять в отдельное направление нанотехнологию, ведь мы уже имеем микроэлектронику. Микроэлектроника работает в микрометровом диапазоне, она сейчас даже переходит в субмикроны. Таким образом, может быть, здесь речь должна идти не о революции, а об эволюции, поскольку просто мы переходим в новый диапазон длин. Но считается, что нет. Тем не менее, все ж таки речь здесь идет о революции.
Можно отметить несколько факторов, кардинально отличающих наномир от микромира, нанотехнологию от микротехнологии и т.д. – важных отличий вот этой самой грядущей нанотехнологической революции от микроэлектроники. Но я отмечу только два.
Первый – из области физики. Эта область от одного нанометра до сотни нанометров – это переходная область – от классики, где господствует классическая физика, к атомам и молекулам, где господствует квантовая механика. Это переходная область. Здесь сходятся эти два типа закономерностей и сосуществуют. Поэтому объекты этой области обладают новыми, более богатыми свойствами. И поэтому нанотехнология создает структуры с новыми свойствами, которые еще нам неизвестны, и мы с таким положением дел ранее не встречались. Например, мы привыкли думать, что для того чтобы изменить свойства материала, нужно изменить его химический состав. В наномире же появляется новое качество. Размер и форма нанообъекта могут существенно повлиять на его оптические, магнитные, электрические свойства, даже на цвет. Это всё с точки зрения квантовой механики понятно, но новым является то, что в принципе, можно сейчас делать такие вещи. Это первое.
Второе отличие несколько иного свойства. Микроэлектроника, микроэлектронная технология, она работает в области информационной техники. То есть, это технология для информационной техники – компьютеры, например, и так далее. А нанотехнология ставит более грандиозные задачи. Она стремиться внедриться и преобразовать фактически все сферы человеческой жизнедеятельности. А.Г. Это универсальный инструмент, который мы можем получить.А.З. Именно так. То есть новые материалы, созданные искусственно, атом за атомом. Каковы области применения нанотехнологии? Конечно, это информационная технология, медицина и фармакология.А.Г. Биомедицина.А.З. Конечно, транспорт, госбезопасность и так далее. А.Г. Криптографию вы имеете в виду.А.З. Да, это всё под, можно сказать, сферой влияния нанотехнологии. Лозунг нанотехнологии: почти всё, что может быть сделано человеческими руками, должно быть или может быть сделано методами нанотехнологии. Потому что всё состоит из атомов, и всё поэтому можно сделать искусственно из атомов. Это лозунг смелый, но таков лозунг нанотехнологии. Вот поэтому это – революция.
Несколько слов или точнее, несколько исторических замечаний, как она все ж таки возникала. Точкой отсчета нанотехнологии считается знаменитый доклад американского физика Ричарда Фейнмана – хорошо известного всем Нобелевского лауреата. В 1959 году он прочитал доклад, который назывался так "There is Plenty of Room at the Bottom", если перевести вольно на русский язык, это примерно звучит так: имеется огромное поле деятельности на атомном уровне. Но вы знаете Ричарда Фейнмана. А.Г. Зная его, можно было перевести почти дословно: "внизу места навалом" или "внутри места полно".А.З. Так оно и есть, да. Фейнман – это блестящая личность. На мой взгляд, это личность калибра гигантов Возрождения. У него удивительный и разносторонний ум. Это и колоссальное провидение. Вы знаете его учебник, фейнманские лекции по физике, у него удивительный тотальный взгляд на природу. Он сложнейшие вещи студентам мог объяснить очень просто, сложнейшие вещи, которым посвящена громадная литература. А после этого профессионалы подхватывали его находки и до сих пор этим пользуются. И со всем этим сочетается его колоссальный и мощный талант аналитика. И за это он Нобеля получил. Вот таков Фейнман.
Так вот он в своем докладе сказал такие слова, и это был его главный тезис, что все приборы (это был 1959-й год), которые сейчас есть, эти вот лампы, триоды, диоды, пентоды, транзисторы, триггеры – всё это, друзья мои, можно и нужно делать из атомов и молекул, собирая их из атомов, и так далее. И это первое.
И второе – он призвал научную общественность: давайте делать такие приборы в наших лабораториях, которые позволили бы нам измерять свойства отдельных атомов и манипулировать ими. Это был 59 год и, конечно, я могу себе представить реакцию публики на это дело, потому что в то время господствовали в электронике огромные лампы или – я еще застал их – триггеры – основа электронно-вычислительной машины – в то время компьютера, это была коробочка объемом пол-литра, не менее. А тут такие фантастические идеи.
Это была первая точка отсчета. После этого в 60-е, 70-е годы развивалась микроэлектроника. А доклад Фейнмана был сделан как раз на заре этой микроэлектроники. Как сейчас мы говорим о нанотехнологии, в то время говорили о микротехнологии. И доклад Фейнмана долгое время был где-то на обочине общего процесса, а процесс продолжался, шло развитие микротехнологии и микроэлектроники. Причем, стартовали, начинали с размеров порядка сотни или десяти микрометров – это начало шестидесятых годов. А к концу 70-х годов пришли к размерам меньше микрона, вышли на субмикронный уровень. И так была создана планарная микротехнология – та, которая сейчас развивается и вовсю работает. Я, кстати, тогда работал в Зеленограде много лет, можно сказать, варился в этом котле. Но могу сказать, что уровень наш, нашей микроэлектроники был вполне приличный.А.Г. То есть шутка, что "советские микросхемы – самые большие микросхемы в мире" не соответствует действительности? А.З. По этому поводу я вам могу даже пример привести. То есть уровень был приличный. Я вот уже поездил довольно много после этого по миру и могу сказать, что он определенно был выше тогдашнего европейского уровня. И не ниже среднего американского и японского – это и американцы признавали. Вот такова была картина. Потом всё это, конечно, рухнуло – очень сильный удар был нанесен перестройкой.
Конкретно, я и мои коллеги, мы занимались сверхбольшими интегральными схемами на магнитных доменах – "магнитных пузырях" – так это называлось. Ну, сделали эти схемы, внедрили. Они довольно хорошо пошли в то время: у нас, и в Штатах, и в Японии такие схемы делали – но они не выдержали конкуренции с дисками. Это был, конечно, проигрыш, но это не было поражением. Поскольку диски получили в результате этой конкурентной борьбы такой колоссальный импульс, которым они до сих пор пользуются. И удваивают через каждые полтора года свою плотность записи и быстродействие. Это я считаю результатом той самой конкурентной борьбы.
А кроме того, мы получили колоссальное количество научного знания о магнетизме. Это был колоссальный прорыв для магнетизма. До сих пор мы этим пользуемся.
Вот это были 60-70-е годы. Ну и результат этой технологической деятельности – это кремниевая технология. Пентиумы, сотовая телефонная связь – всё это результат этой деятельности 60-70-х годов. До сих пор это всё продолжает развиваться и приносить плоды.
Следующий шаг – 80-е годы принесли новый колоссальный прорыв, но уже в нанонаправлении. Бининг и Рорер – швейцарские физики из Цюриха, из лаборатории фирмы ИБМ, сделали так называемый сканирующий туннельный микроскоп. Это Костя знает хорошо, вы тоже знаете это, конечно.
Этот микроскоп дает возможность прямо наблюдать атомы и электронную плотность на поверхности. Это довольно простая, в принципе, штука. Представьте себе платформу, которая может ползать по поверхности кристалла с нанометровым разрешением. Она управляется пьезо-приводом, к этой платформе крепится игла с атомным разрешением. Она плавает над поверхностью на расстоянии примерно от одной десятой нанометра до нанометра. Измеряя туннельный ток, мы измеряем электронную плотность. Просто. Но это колоссальный шаг вперед. И потом уже позднее, на базе этого открытия, этого прибора, целая плеяда новых приборов появилась.
Это атомный силовой микроскоп, который измеряет рельеф поверхности с атомным разрешением.
Атомный магнитный микроскоп, который дает опять же с нанометровым разрешением направление магнитных моментов на поверхности. Потом были сделаны такие же устройства, которые локально могут измерять ядерный магнитный резонанс, электронный спиновый резонанс.
И наконец были сделаны на этой же базе приборы, которые могут манипулировать атомами, т.е. могут их передвигать с места на место – наноманипуляторы. Это был ответ на вызов Ричарда Фейнмана. Это было сделано где-то уже к 90-му году. И как демонстрация этих достижений, мне нравится вот такая картинка – исследователи из фирмы Ай-Би-Эм написали на металлической поверхности три буквы – IBM. Но написали это атомами ксенона! Это был 90-й год. Константин Звездин: Сколько атомов в букве?А.З. Ну, в букве, я не знаю, всего было порядка 35-ти атомов использовано. Но я видел эти картинки. После этого, конечно, продвинулись очень сильно. Но это была веха. Вот такой примерно исторический фон, на котором развивалась нанотехнология. Сейчас мы на пороге фактически нового века – века нанотехнологии.
Я бы показал несколько основных элементов наиболее популярных в настоящее время в наномире, они на картинке нарисованы. Это элементы – квантовые ямы, сверхрешетки, квантовые проволоки или квантовые нити, как еще их называют. Квантовые точки, магнитные точки. Это всё элементы нанофизики, нанотехнологии, они особенно интересны, конечно, для наноэлектроники. Они показаны там на рисунках. Здесь, в этих названиях, термины – проволоки, точки, ямы – очевидно связаны с геометрическим фактором, характерным для этих объектов. А прилагательное "квантовый" – отражает тот факт, что движение электрона в этих объектах подчиняется не классическим закономерностям, а квантовым. Поскольку размеры их как раз находятся в нанообласти.
Среди такого типа объектов особенно интересны кластеры. Эти объекты такие же, как квантовые точки, но они называются кластерами. Вот видите, такие элементы показаны на рисунке, в которых порядка тысячи атомов. И, конечно, движение электронов в них тоже является квантовым, т.е. это тоже чисто квантовые объекты. Их чертова гибель, этих кластеров, поэтому это богатейшая область для создания новых материалов и новых приборов. А.Г. Простите, сам кластер ведет себя как макрообъект, а электроны внутри кластера ведут себя уже как квантовые объекты?А.З. Электроны как квантовые, и сам кластер ведет себя тоже так же, я буду по этому поводу позже говорить. То есть сам кластер в некотором смысле ведет себя тоже как квантовый объект. У него есть некая коллективная, как ее называют, переменная, которая подчиняется законам квантовой механики. Я об этом расскажу попозже.
Мы работаем с магнитными кластерами. Они интересны тем, что у них появляется дополнительная степень свободы – магнитная. Ею можно управлять, поэтому свойства у них более разнообразные. Интересно, что именно магнитные нанообъекты пришли на финиш практического применения раньше других. Но об этом расскажет Константин. К.З. Раздел электроники, который занимается магнитными наноструктурами называется "спинтроника". В отличие от классической микроэлектроники, которая использует только заряд электрона, спинтроника еще использует его магнитный момент, т.е. появляется дополнительная степень свободы.
Рождением этого направления можно считать открытие эффекта гигантского магнитосопротивления в 88 году. Что это за эффект? Берется трехслойная структура из двух магнитных слоев и немагнитной проводящей прослойки. Вот нечто подобное показано на рисунке. Электрическое сопротивление такой структуры зависит от взаимной ориентации намагниченностей в магнитных слоях. В первых структурах, в которых этот эффект был обнаружен, величина эффекта – так называемое GMR-соотношение – составляло 6%, сейчас получены такие материалы, в которых оно доходит до 20% и более при комнатной температуре.
Что такое GMR-соотношение? Это разница между сопротивлением структуры при параллельном направлении намагниченности в слоях и при антипараллельном, т.е. антиферромагнитном. Первое практическое применение таких структур – это головки жестких дисков. Не все заметили этот факт, но буквально за несколько лет информационная плотность жестких дисков увеличилась в 20 раз – благодаря использованию этого эффекта. А.З.Простите, я перебью. GMR-эффект – это как раз наноэффект. Размеры элементов здесь должны быть много меньше длины свободного пробега.К.З. Да, в больших структурах это все не работает.
Я здесь остановлюсь на том, как устроен жесткий диск. Фактически этот диск покрыт магнитным материалом, и информация хранится в форме доменной структуры, которая создана на поверхности этого диска. И если нам нужно считать какую-то информацию с какой-то области диска, эта область подводится под GMR-считывающую головку, в которой один магнитный слой, в нем намагниченность фиксированная, а другая меняется благодаря магнитостатическому взаимодействию с поверхностью доменной структуры. И в зависимости от того, единица или ноль записана в этом бите, т.е. в этой области диска, меняется (или не меняется) ориентация нижнего слоя, и мы получаем сигнал или не получаем его. То есть в бинарном виде это работает.
И, естественно, огромная задача для индустрии, которая занимается этими дисками, как можно меньше сделать размер, который занимает один бит информации. То есть, как можно плотнее записать. Но на этом пути существует так называемый суперпарамагнитный барьер, предел. Что это такое? Существует такой критический размер домена, при котором из-за термофлуктуаций он спонтанно перемагничивается. То есть без действия каких-либо внешних полей информация теряется. То есть ниже, мельче, чем позволяет это ограничение, не получается сделать величину бита.А.Г. Технологически не получается или теоретически? Потому что если флуктуация температурная, то можно придумать какую-то систему защиты, стабилизации.А.З. Ну, например, понизить температуру устройства – правда, это усложняет систему колоссально. А.Г. Да-да-да, то есть теоретически это возможно, технологически это невыгодно. К.З. Это абсолютно правильно. То есть размер зависит от многих факторов, в том числе и от материала. Есть такая величина – константа магнитной анизотропии. Она описывает, насколько жестко держится намагниченность, насколько велика коэрцитивная сила. Но с другой стороны, мы не можем сильно увеличивать эту константу, потому что тогда усложняется запись. То есть нам большее поле надо приложить локально для того, чтобы изменить битовое состояние. И опять же это усложнение системы. Сейчас один из путей решения этой проблемы – создание так называемой пространственно неоднородной магнитной среды. В отличие от современных дисков, которые представляют собой сплошную магнитную поверхность, на немагнитную поверхность в этом случае нанесены магнитные частицы с каким-то определенным периодом.А.З. Магнитные точки даже. К.З. И фактически бит хранится в форме ориентации намагниченности одной частицы. Это вот позволяет несколько отодвинуть суперпарамагнитный предел. И отодвинуть, то есть уменьшить размер бита, т.е. увеличить плотность записи. Сейчас цель индустрии жестких дисков – достичь плотности 100 гигабит на квадратный дюйм. Считается, что это будет достигнуто в этом или в следующем году.А.Г. Но это будет предел для этой технологии?К.З. Ну, это некий шаг, который нужно сделать.А.Г. 100 гигабит на квадратный дюйм? Потрясающе.К.З. Следующее коммерческое применение нанотехнологии, которое будет через несколько лет на рынке, это магнитная оперативная память. В настоящее время используется полупроводниковая магнитная память, но главная ее слабая сторона состоит в том, что при отключении питания информация теряется. То есть, как мы все знаем, надо тратить некоторое время на перезагрузку компьютера. И если вдруг выключается питание, то мы теряем наши несохраненные документы.
С магнитной памятью дело обстоит совершенно по-другому. Как устроена ячейка магнитной памяти? Это такая же трехслойная структура, и в простейшем случае, единица или ноль хранится в форме взаимной ориентации векторов намагниченности. То есть при отключении питания битовое состояние, естественно, сохраняется. И потом, если мы представим, что из таких элементов мы строим матрицу, то есть, таким образом мы можем считывать информацию с каждого элемента.А.Г. А вот эта кластерная структура записи информации, насколько важно ее сохранить при новых технологиях или есть другие пути записи?К.Г. То есть вы имеете в виду жесткие диски?А.Г. Да.К.З. Нет, то, что я говорю, это просто уменьшение битового размера. То есть технология записи остается в нашем случае та же самая.А.Г. Понятно.К.З. Но буквально в последние годы открыты некоторые новые эффекты, которые оставляют далеко позади эффект гигантского магнитного сопротивления. В том числе магнитное сопротивление в нано-проволоках и нано-мостиках. Что такое нано-мостик? В 2000-м, если я не ошибаюсь году, в Испании были проведены эксперименты, состыковывались две нано-проволоки с атомарной толщины наконечниками, до тех пор пока не получали электрический контакт. А затем перемагничивали одну из нано-проволок. И величина магнитосопротивления получалась фантастическая – сотни и тысячи процентов. А.З. Даже недавно получено 100 тысяч.К.З. 100 тысяч процентов – то есть это фактически бесконечность.А.З. Здесь квантовые эффекты проявляются... А.Г. По теории вы сейчас нас подтянете. Я хочу дослушать, что у нас по технологии.К.З. С некоторой точки зрения, это может стать началом новой революции в спинтронике.
И еще я хотел бы остановиться на методах изучения таких объектов. Спинтронные структуры обладают огромным количеством параметров. То есть экспериментальное их изучение – это очень трудоемкий процесс, дорогостоящий, занимает много времени и так далее. И здесь на помощь приходит, как обычно сейчас, компьютерное моделирование. И очень активно используется в настоящее время так называемый микромагнитный подход.
Магнитный слой разбивается, грубо говоря, на кирпичики, на маленькие прямоугольники. И каждый из них обладает своим собственным магнитным моментом. И причем каждый из этих кирпичиков магнитостатически взаимодействует со всеми кирпичиками, которые формирует система. И модель позволяет варьировать и физические параметры, и геометрию. То есть из таких кирпичиков можем составлять любую магнитную структуру с необходимыми физическими свойствами. И мы можем моделировать реально процесс перемагничивания. Фактически мы строим виртуальный прототип элемента, подбираем оптимальные параметры. И только после этого образец подается уже в лабораторию.А.Г. С нее начинают строительство непосредственно...К.З. Да, то есть строится виртуальный прототип, изучается его поведение. Причем, что интересно, часто обнаруживаются некие новые эффекты, которые трудно предсказать теоретически. И их экспериментально было бы достаточно сложно обнаружить. И они вот таким образом обнаруживаются, и потом можно уже это экспериментально их получить.
Где еще используются магнитные нано-структуры? Очень широко они используются в сенсорах всевозможных. Сейчас очень быстро развивается технология так называемая MEMS, то есть микромеханические системы, микроэлектромеханические системы. Это то, что мы видели в фантастических фильмах, это маленькие жучки, паучки, маленькие роботы каких-то миллиметровых размеров, которые используются во всех областях человеческой деятельности. И для управления точной механикой этих систем активно используются также магнитные сенсоры. Также такие сенсоры используются в автомобильной промышленности, очень активно, как датчики скорости, в медицине, в аэрокосмической области, то есть поле применения их очень широкое. А.Г. Теперь подтяните нас по теории. Почему эти нано-мостики обладают таким потрясающим эффектом? А.З. Вообще-то вопрос в стадии исследования. Но один из ответов, один из возможных ответов, может быть основан на эффекте квантового сопротивления нано-мостиков. Известно, что сопротивление нано-контакта квантуется, имеется квант сопротивления. И вот тогда, когда диаметр мостика меньше некоторого критического, то мостик практически закрыт. И мы можем его закрыть, скажем, сделав так, что спины в берегах мостика направлены навстречу друг другу. Тогда он закрыт. Полностью закрыт. Это квантовый эффект. Это, если хотите, бесконечное сопротивление. Когда мы делаем их параллельными, он открывается. То есть фактически он то закрыт, то открыт – это реальный факт. Значит, вопрос заключается в том, действительно ли он реализуется в тех экспериментах, которые сейчас сделаны. Здесь пока вопрос открыт. К.З. Но сотни тысяч процентов наблюдались.А.З. Это наблюдалось, да.
Мне хотелось бы сейчас действительно вернуться к физике. Вот в области магнитных нано-структур, в области суперпарамагнетизма имеется много интересных квантовых эффектов, где встречаются квантовые и классические закономерности, как мы сказали. И я, по ограниченности времени, конечно, могу говорить только об одном эффекте. Таким интересным эффектом является явление магнитной релаксации магнитных материалов. Давайте начнем с классики. Если мы возьмем обычный постоянный магнит, который мы в нашей обыденной жизни привыкли видеть, и намагнитим его вдоль определенного направления, например, вдоль легкой оси, то он практически постоянно будет находиться в этом состоянии равновесия. Хотя имеется другое состояние равновесия, противоположное ему.
Но ситуация меняется, когда мы уменьшаем размер элемента, объём элемента. Первым обратил на это внимание Луи Неель, знаменитый французский физик. Он изучал магнетизм земных пород и обратил внимание, что действительно, когда частички становятся маленькими, то они могут спонтанно размагничиваться, благодаря тепловым флуктуациям, как Костя нам об этом уже рассказал. И он вывел формулу для скорости спонтанного размагничивания, она выглядит как некая экспонента знаменитой формулы Аррениуса и показывает, что скорость спонтанного размагничивания, т.е. скорость релаксации, уменьшается, когда температура стремится к нулю, и она обращается в нуль, когда температура идет в ноль. Но это с точки зрения здравого смысла это естественно. Тепловые флуктуации идут в ноль, и, значит, естественно, никакого перемагничивания спонтанного нет.
Когда начали делать эксперименты, обнаружили, что, в общем-то, всё укладывается хорошо в теорию Луи Нееля. Но когда начали экспериментировать с ещё более мелкими, нанометровыми частицами, обнаружили интересный факт. Оказалось, что действительно, она идёт по Неелю, но когда мы приходим к низким температурам, порядка Кельвина, оказывается, что скорость становится постоянной и при дальнейшем понижении температуры не меняется. Это удивительный факт. Довольно быстро была выдвинута идея, что здесь мы имеем дело с макроскопическим квантовым туннелированием намагниченности частицы.А.Г. Макроскопическим?А.З. Да, магнитный момент всей частицы, макроскопический, он туннелирует как целое. Это напоминает, помните, кота Шредингера. Так вот эта частица, этот магнитный момент как целое, он переходит в другое состояние. Удивительный факт. А.Г. То есть этот туннельный эффект, по сути дела – макроскопический?А.З. Макроскопический, да. Конечно, это колоссально интересная штука, но не все физики согласились с этой идеей. Возражали, что частицы очень различны по размерам, дисперсия размеров есть. Поэтому скорости, размагничивая в разных частицах, тоже будут сильно различаться. И тут, в общем, можно всё что угодно получить. То есть возник тупик некий.
Но оказалось так, что параллельно с этим экспериментом появился новый интересный объект в суперпарамагнетизме. Это магнитные молекулы. Вот они здесь показаны. Магнитные молекулы – это органические молекулы, в которых имеются магнитные ионы. То есть это тоже, можно сказать, магнит, но на молекулярном уровне. И в отличие от магнитных частиц, тут они все калиброваны, так сказать, от Бога размер задан. И поэтому, если работать с такими объектами, уже никаких проблем с размером не возникает.
Итальянцы из Флоренции под руководством профессора Гаттески, они такие материалы синтезировали, ну, и конечно, физики их сразу подхватили, Mn-12, вот это нижняя левая молекула. И её взяли как основную и модельную, и на ней провели эксперименты. Эти эксперименты буквально несколько лет тому назад были сделаны. Сделаны они были в Гренобле и Нью-Йорке. И они, эти эксперименты, полностью доказали, что, действительно, здесь мы имеем дело с макроскопическим тунеллированием намагниченности. Вот это ответ на ваш вопрос. Электроны там только квантовыми свойствами обладают или в целом весь кластер? Вот здесь оказывается, что весь кластер проявляет квантовые свойства.А.Г. А какими свойствами в данном случае обладает барьер?А.З. Это хороший вопрос. Барьер, это фактически магнитная анизотропия, но в молекуле. И вот, молекула марганец-12, это действительно молекулярный магнит, она обладает петлёй гистерезиса, то есть у неё имеется анизотропия. То есть это магнит на молекулярном уровне. И вот это интересно и с практической точки зрения. Поскольку это магнит на молекулярном уровне, то мы можем использовать его для записи информации, т.е. одну молекулу. Конечно, эта идея очень простая, она появилась совсем недавно в "Нью-Йорк таймс", американские физики, её запустили. Сумасшедшая плотность, конечно. Она на четыре порядка больше, чем плотности современных магнитных дисков и так далее. Но идея, честно говоря, слишком сырая, слишком много трудностей, проблем на этом пути.К.З. То есть управление.А.З. Не только управление. Это хранение информации, низкая температура нужна и так далее. Но в целом идея здравая и она, конечно, не только у американцев, она и во всех лабораториях обсуждалась. Только американцы её смело подали в газету.
Но понятно сейчас, что нужно делать крупные молекулы для того, чтобы организовать эту систему. А для того чтобы сделать крупную молекулу, надо знать, как устроены молекулы внутри, какие там взаимодействия и так далее. А.Г. То есть речь идет уже не о синтезе органических молекул, которые обладают этими свойствами, а о создании некой молекулы.А.З. О создании новых молекул, да. То есть надо разобраться с этими взаимодействиями. И вот я вам сейчас могу рассказать про эксперименты, которые мы провели сравнительно недавно с этими молекулами. Основная идея их была – полностью намагнитить эту молекулу. Она так сложно устроена, что для этого нужны поля порядка миллионов гаусс. Это большая проблема. Но оказалось, в России такие поля есть. И они есть в Арзамасе-16, в Сарове – это федеральный ядерный центр. Они были созданы тогда, когда Сахаров ещё там работал. Он был создателем этих полей. Потом академик Павловский подхватил это дело, и сейчас они сохранились.
И вот несколько лет тому назад меня пригласили туда на чашку чая обсудить возможности использования их полей для магнитных физических измерений. И одно из предложений, которое мы обсуждали, это вот намагничивание этих больших молекул. Вернувшись оттуда, мы с моим другом, профессором Поповым Александром Ивановичем из Зеленограда, рассчитали этот процесс намагничивания. И обнаружили одну интересную штуку, что процесс действительно идет в мегагауссных полях, но идет квантовым образом, квантовые скачки возникают. И после этого расчета мы достали эти материалы, французы, итальянцы помогли с этим делом, и начали эксперименты. Несколько лет вели, у нас в России, в Арзамасе-16, в Сарове, в Америке, в Лос-Аламосе, американцы тоже к этой работе подключились. И в результате действительно измерили процесс намагничивания, получили петлю намагничивания, то есть полностью намагнитили молекулу. И действительно увидели, что процесс намагничивания идет путем квантовых скачков. Вот сейчас эту картинку хорошо было бы показать.
То есть процесс намагничивания молекулы идет путем квантовых скачков. Это был важный момент. И вот эта нижняя кривая, она как раз показывает, как ведет себя восприимчивость этой молекулы, виден пик восприимчивости, он находится при полях примерно 600 Тесла, то есть это 6 миллионов Эрстед. Это реально было всё сделано. И я эту картинку очень люблю и горжусь этой картинкой. Какой результат? То есть фактически мы сейчас, после того как включились теоретики и раздраконили эту молекулу, мы знаем все взаимодействия. Конечно, работы ещё довольно много с этой молекулой и с другими. Но это путь к измерению того, как внутри устроены эти молекулы, это нужно для синтеза новых молекул. Вот это самый последний и новый результат. И это тоже проявление квантового поведения этих объектов.А.Г. А синтез нужен для создания новых технологий, которые приведут в том числе и к созданию новых макрообъектов, которые будут работать на нанопринципах. Например, компьютеров.А.З. Именно так. То есть обнаружение макроскопического квантового поведения магнитных молекул – это интересно с физической точки зрения. Но здесь есть и шаг к квантовому компьютеру. И такие компьютеры квантовые на вот этом принципе использования магнитных нанокластеров, они предложены. Они предложены и европейскими физиками, американскими, и у нас есть свои идеи в этом направлении. Но, нужно сказать, всё ещё впереди, вся работа впереди.А.Г. Понятно. Говоря об этих компьютерах, всё-таки в чем будет принципиальное, кроме способа хранения информации, различие между классическими компьютерами и квантовыми компьютерами? Это что, скорость обработки информации или это попытка решения задач, которые принципиально не могут быть решены на классических компьютерах?А.З. Я думаю, второе. То есть фактически здесь речь идет о задачах, которые принципиально трудны для классических компьютеров, сила квантового компьютера в том, что он позволяет проводить параллельные вычисления. Ну, представляете это, что бит классический – это два состояния. А кьюбит квантовый, т.е. бит квантового компьютера, это фактически все состояния на сфере. И, конечно, поэтому и эффективность квантового компьютера намного сильнее.
Но сейчас в наше время на этом пути сделаны только двухкубитные системы, из двух битов. А.Г. Я так понимаю, что отказ от бинарной системы записи влечет за собой отказ и от формальной логики, которая буквально преследует компьютерную технику и компьютерные программы сегодня. То есть, грубо говоря, современный компьютер, как бы ни была написана программа, не может решить вопрос: кто красивее – женщина или паровоз? – обладая только этим набором данным. А квантовый компьютер может попытаться ответить на этот вопрос – со своей точки зрения, разумеется.А.З. Если мы в него что-то сможем внести. Но сейчас пока реализованы только двухкьюбитные системы.А.Г. А уже есть прототипы такие?А.З. А вот буквально за последние годы, за последний год даже, два я примера знаю. На кремнии с фосфором – есть такой квантово-компьютерный центр в Австралии. Они сделали двухкубитную систему. И буквально недавно сделали на джозефсоновских элементах двухкубитную систему. Это тоже интернациональная группа, состоящая из наших, российских физиков, из японских, из американцев, два таких варианта сейчас есть.А.Г. Но всё-таки, прогнозируя революционные изменения (это очень, кстати, похоже на график намагничивания вашего) – должен быть какой-то взлет по развитию технологии, за достаточно короткое время. Когда вы его прогнозируете, этот взлет?А.З. Вы имеете в виду технологию квантовых компьютеров?А.Г. Не обязательно квантовых компьютеров. Как это точнее сказать-то... Квантовые матрицы больше сейчас, чем двухкюбитные.А.З. Как говорят специалисты, что для того чтобы квантовый компьютер мог конкурировать с современными бинарными компьютерами, нужно чтобы компьютер состоял примерно из тысячи кюбитов, тогда они могут конкурировать. Но сейчас два. Если опереться опять же на тот закон Мура и считать, что за полтора года его интеграция удвоится, где-то через 15-20 лет до тысячи дойдем. Если, конечно, в этой области этот закон будет работать. А.Г. Да. Ну, хорошо, я всё время вспоминаю Симона Шноля, который любому теоретику говорит: "А что от этого нашему колхозу?" Кроме компьютерных технологий, о которых вы уже упоминали, нанотехнологии могут работать буквально везде. В ближайшее время каких нам здесь прорывов ждать?А.З. Костя, по-моему, хотел об этом сказать, но не сказал почему-то. Вот магнитные нано-кластеры, нано-частицы, они не только в спинтронике интересны. Из ультрадисперсной системы, – грубо говоря, это органика, и пластмасса, и в неё погружаются эти малые частицы – можно делать массу всяких интересных вещей.А.Г. А именно?А.З. Постоянный магнит, это всем известно сейчас.К.З. Мягкие магниты фактически.А.З. Да. Причем в Штатах сейчас это очень здорово развивается. Они делают, скажем, магнитную рекламу. Она как лента – на автомобиле, где угодно крепится. И хотя эта работа требует использования очень мелкодисперсного порошка, но его можно покупать. Пластмасса тоже, так сказать, не Бог весть какая технология. Это могут делать малые предприятия, малые фирмы – и делают. Вот у нас в университете я знаю команду, они активно в это дело влезли, они, например, изобрели магнитную пену для того, чтобы всякое масло, нефть с поверхности моря снимать. Другая интересная штука – магнитный клей. Вот это то, что колхоз может использовать, если колхозом назвать малую фирму. А.Г. Малое предприятие.А.З. Малое предприятие, да.К.З. Или, например, MRAM, который появится, буквально, это может быть, в следующем году. С её помощью переносной компьютер, ноутбук сможет без подзарядки работать несколько месяцев. Сейчас огромное количество энергии тратится на обновление информации в оперативной памяти, эта энергия будет сохраняться. То есть фактически энергия будет тратиться только во время обработки операции. А.Г. То есть на той же самой литиевой батарее, только срок жизни компьютера возрастет необычайно.К.З. Или, например, мобильный телефон, которым можно без подзарядки пользоваться месяцами.А.З. Но это малое предприятие не потянет.А.Г. Но что-то же мы должны отдать из этой технологии большим.А.З. Но на самом деле то, о чем мы сейчас говорим, это из области прогнозов. А 20-й век показал нам, что прогнозы – очень неблагодарное дело. И многие, ещё после войны, когда началась микроэлектроника, многие прогнозировали на ближайшие 20-30 лет, и их прогнозы оказались намного более робкими, чем действительность.К.З. Кроме прогнозов Фейнмана, наверное.А.З. Да, конечно.А.Г. Это даже не прогноз, это установка к действию. Это как рассказ о том самом лондонце, который представлял себе Лондон конца 21 века погрязшем в навозе, потому что будет столько лошадей, что убирать за ними... Ну, что? Вот видите, хоть вы вселяете оптимизм какой-то.
Max_Evil
В научном фольклоре наших дней есть крылатые слова: “если из всех накопленных знаний потребовалось бы сохранить одну фразу, концентрирующую самые важные из них, то это было бы утверждение: “Весь наблюдаемый мир состоит из атомов””.
В наши дни мечта использовать атомы в качестве строительного материала для создания искусственных конструкций и веществ, не существующих в природе, становится реальностью. В последние 10—15 лет в физике, химии и технологии разработаны методы, позволяющие манипулировать с отдельными атомами и молекулами, совершать операции, которые естественно описывать в терминах конструирования на молекулярном уровне.
Возникающие новые научные направления снабжают приставкой “нано” (от греч. ????? — карлик): нанофизика, наноэлектроника, нанотехнология и т.д., подчеркивая тот факт, что характерный размер объектов в этой области порядка 1 нм – 10 –9 м на уровне размеров атомов и молекул.
Современные возможности блестяще продемонстрировали физики из исследовательского центра корпорации IBM: им удалось уложить 35 атомов ксенона в буквы “I”, “B”, “M” высотой около 9 нм. Это было сделано в начале 1990 г. К настоящему времени получены разнообразные наноструктуры, из которых наиболее популярны квантовые и магнитные точки, квантовые ямы, квантовые нити, нанопроволоки, сверхрешетки. Сверхрешетки представляют собой искусственные нанофазные материалы — многослойные структуры с чередующимися ультратонкими слоями (порядка одного или нескольких нанометров), состоящими из атомов определенного сорта. Примером могут быть сверхрешетки Ge/Si, Fe/Cr, Co/Cu и др.
Термины “точки”, “ямы”, “нити”, проволоки” характеризуют главным образом очевидные геометрические свойства этих объектов, прилагательное “квантовый” отражает тот факт, что их поведение и свойства в значительной степени определяются не классической, а квантовой механикой.
В мире нанообъектов одно из центральных мест занимают ультрамалые частицы, состоящие из небольшого числа атомов (10-10000). Эти образования называют по-разному: наночастицами, нанокристаллами, квантовыми точками, но чаще всего - нанокластерами. Их свойства, как правило, разительно отличаются от объемных свойств материалов такого же состава. Поэтому нанокластеры рассматривают как “крупные блоки” для конструирования новых материалов и приборов.
Особенно интересны магнитные нанокластеры, так как наличие внутренней, дополнительной степени свободы - магнитного момента - придает большое разнообразие их свойствам и позволяет управлять их состоянием.
Итак, с точки зрения приложений эти объекты интересны, если их состоянием удается воспроизводимым образом управлять. Для магнитных материалов этого можно добиться при помощи внешнего магнитного поля.
Магнетизм - квантовомеханическое явление по сути. Атомы многих элементов таблицы Менделеева обладают магнитным моментом благодаря нескомпенсированному спину электронов. Среди них наибольшего внимания заслуживают атомы переходных металлов (Fe, Co, Ni и др.), лантаноидов (редкоземельных элементов) и актинидов. Молекулы, как правило, диамагнитны, хотя есть и исключения, например молекула кислорода. Что касается макроскопических веществ, то их магнитные свойства уже не так просты, поскольку не связаны напрямую с магнитными моментами составляющих их атомов или молекул.
Магнитные свойства отдельных атомов хорошо поняты. Свойства магнитных кристаллов, содержащих атомы переходных или редкоземельных элементов, также подробно изучены, хотя и в настоящее время здесь остается целый ряд вопросов. Дело в том, что возникающий в этих материалах дальний магнитный порядок не есть результат простой суперпозиции магнитных вкладов отдельных атомов. Магнитное упорядочение - это коллективный квантовомеханический эффект, в основе которого лежит специфическое взаимодействие между спинами атомов, обусловленное принципом Паули. Это взаимодействие называется обменным.
Обменное взаимодействие может индуцировать в макроскопических областях материала параллельное ориентирование спинов (ферромагнетизм), антипараллельное - в соседних узлах решетки (антиферромагнетизм) или - более сложные формы магнитного упорядочения.
Магнитные кластеры представляют собой звено, соединяющее микроскопический магнетизм индивидуальных атомов и макроскопический магнетизм кристаллических и аморфных тел. Поэтому их называют иногда мезоскопическими магнитами. Термины “мезоскопический”, “мезоскопика” происходят от греческого слова mesos - средний, промежуточный. Принципиальное значение изучения мезоскопических элементов состоит в том, что она дает возможность понять особенности перехода от микроскопических закономерностей к макроскопическим; эти исследования важны также для изучения и установления предельных свойств мезообъектов и, значит, определения достижимых границ миниатюризации электронных приборов и элементов памяти.
При изучении свойств мезоскопических магнитов возникает ряд специфических проблем. Первая - технологическая. Как создать нанокластеры с контролируемыми размерами и свойствами? Традиционный путь, в основе которого лежит классическая в микроэлектронике технология литографии, дополняется в настоящее время новыми подходами, основанными на использовании молекулярных пучков, сканирующей туннельной микроскопии, химического синтеза, биоминерализации.
Вторая проблема - как измерить физические величины, характеризующие магнитные свойства ультрамалых частиц, размер которых составляет величину порядка 1-100 нм? В идеале нужно было бы измерить характеристики индивидуальной изолированной частицы, чтобы исключить влияние взаимодействия между частицами и разброса в их размерах. Такие измерения требуют очень чувствительной техники. Среди недавних достижений в этой области нужно отметить магнитный силовой микроскоп (лучше сказать наноскоп) и интегральный СКВИД.
Мир миниатюрных магнитов. От доменов к однодоменным частицам. Уже более 50 лет тому назад, в ходе изучения доменной структуры ферромагнетиков был поставлен вопрос: можно ли создать образцы магнитоупорядоченные, но без доменной структуры? Что это даст? Ведь наличие доменной структуры сильно осложняет поведение магнитных тел, поскольку многие важные свойства, связанные с ней, зависят от таких факторов, как дефекты материала, форма образца, механические напряжения, состояние поверхности и т.п. Поэтому эти трудно контролируемые факторы влияют на процесс намагничивания, магнитоупругие, кинетические, высокочастотные, оптические характеристики. Предполагалось, что в образцах без доменной структуры подобное влияние будет исключено.
На макроскопические домены объем магнитного материала разбивается из-за стремления системы к состоянию с минимумом полной энергии, складывающейся из нескольких составляющих — магнитостатической, магнитоупругой, обменного взаимодействия и магнитной анизотропии. Магнитная анизотропия (то есть зависимость магнитных свойств от направления в образце) порождена тем, что внутрикристаллическое поле не одинаково вдоль разных кристаллографических осей, и поэтому магнитный момент атома стремится выстроиться вдоль какого-либо выгодного направления, снижающего энергию. Обменное взаимодействие заставляет все элементарные магнитные моменты ориентироваться параллельно друг другу, но такое однородно намагниченное состояние характеризуется большой магнитостатической энергией. Образование доменов с различающимися направлениями вектора намагниченности (в образце достаточно больших размеров) эту энергию снижает. Однако между доменами появляются переходные области — доменные стенки, и их вклад в энергию становится все весомее по мере снижения линейных размеров системы.
Критический размер образца, ниже которого существование доменов в нем энергетически невыгодно, рассчитал известный магнитолог профессор МГУ Е.И. Кондорский еще в 1952 г. Эта величина оказалась равной примерно 10 нм для классических ферромагнетиков типа Fe, Ni, Co. Образование доменной границы сопровождается затратой энергии, которая в разных материалах варьирует в пределах 0.01—1 эрг/см2.
Модель перемагничивания однодоменных частиц. Английские физики Э.Стонер и Э.Вольфарт предложили простую и элегантную модель перемагничивания однодоменных частиц. Согласно модели процесс перемагничивания частицы происходит когерентно: все спины образца поворачиваются так, что все время остаются ориентированными параллельно друг другу. Это означает, что энергия образца фактически зависит от одной коллективной переменной, например единичного вектора, направленного вдоль вектора намагниченности.
В простейшем случае плотность энергии образца E представляется как алгебраическая сумма плотностей энергий магнитной анизотропии и взаимодействия магнитного момента с внешним полем H:
E = Ksin2? + MHcos?. (1).
В формуле (1) K — константа одноосной магнитной анизотропии, M — намагниченность, ? — угол между вектором намагниченности частицы и осью z, направленной вдоль оси легкого намагничивания (которую обычно называют просто легкой осью). Знак “плюс” в равенстве (1) подразумевает, что вектор напряженности внешнего поля H ориентирован против оси z, и это направление для него считается положительным. Нетрудно найти возможные устойчивые ориентации магнитного момента, соответствующие минимумам энергии (1) как функции угла ?. В отсутствие внешнего магнитного поля и при его наличии эта зависимость выглядит по-разному. Если напряженность внешнего поля невелика (H < Hc = 2K/M), то, как и в первом случае, во втором энергия имеет два минимума, которые отвечают двум противоположным ориентациям вектора намагниченности параллельно легкой оси (? = 0 и ? = p), и один максимум. Но только без поля энергия в минимумах одинакова и равна нулю, а при наличии поля эта симметрия нарушается. Один минимум энергии (? = 0) соответствует метастабильному состоянию, другой, ? = p, — равновесному; его называют также глобальным минимумом энергии. Энергетический барьер, разделяющий эти два состояния, зависит от величины поля H. Если увеличивать внешнее поле, то при достижении критического значения H = Hc барьер, отделяющий метастабильное и стабильное состояния, исчезнет. Магнитный момент, если он находился в состоянии ? = 0, переориентируется в противоположном направлении (? = p), т.е. выстроится вдоль внешнего магнитного поля. Этот процесс называют переключением, а поле Hc — полем переключения.
Моделирование перемагничивания с помощью компьютерных программ. Исследования последних лет показали, что картина перемагничивания малой частицы, следующая из модели Стонера—Вольфарта, не вполне точна. Хотя в равновесии распределение намагниченности по объему частицы может быть практически однородным, однако, переходный процесс переключения протекает не когерентно — не все спины поворачиваются одновременно.
Компьютерный эксперимент демонстрирует, что характерное поле переключения заметно меньше того, которое следует из модели Стонера—Вольфарта. Получаемая при этом кривая гистерезиса помогает наглядно убедиться в этом путем сравнения соответствующих значений коэрцитивной силы.
Исследования с помощью компьютеров процессов перемагничивания малых частиц очень актуальны, так как устройства памяти, сенсоры, элементы, считывающие информацию, разрабатываются пока на базе магнитных объектов (например, тонких однослойных и многослойных прямоугольных полосок размером 1000 нм и менее и толщиной порядка 10 нм). Поэтому математическое моделирование имеет не только познавательный интерес — оно непосредственно используется при проектировании новых магнитных элементов памяти.
Например, получены результаты компьютерного моделирования кинетики перемагничивания трехслойного субмикронного элемента с антиферромагнитным взаимодействием между слоями, так называемого спинового переключателя (spin—valve). Это основной элемент магнитной оперативной памяти MRAM (Magnetic Random Access Memory) с очень хорошими параметрами — информационной плотностью, быстродействием, энергонезависимостью, — которую разрабатывают в настоящее время в ведущих компьютерных компаниях мира. Эволюция распределения спиновой плотности в процессе перемагничивания протекает некогерентно и в данном случае. Это очень важный результат: знать, как происходит этот процесс, крайне необходимо, чтобы оптимизировать прибор и прогнозировать характеристики памяти.
По супервременам — и суперпарамагнетизм. Если размер частицы достаточно мал, величина барьера между минимумами энергии может стать сравнимой с тепловой энергией. В этом случае вероятность того, что магнитный момент под влиянием тепловых флуктуаций спонтанно переориентируется, скажем, из метастабильной позиции (? = 0) в равновесную (? = p), т.е. преодолеет этот барьер, перестанет быть пренебрежимо малой. (Подобные термостимулированные флуктуации намагниченности называют иногда суперпарамагнитными флуктуациями.) На это впервые обратил внимание французский ученый Л.Неель в 1949 г., изучая свойства малых частиц магнетита Fe3O4 в земных породах. Процесс термостимулированного перехода из метастабильного минимума энергии в стабильный называют релаксацией. Неель рассмотрел поведение ансамбля частиц в достаточно сильном магнитном поле. Он показал, в частности, что после выключения поля остаточная намагниченность M(t) уменьшается со временем по экспоненциальному закону
M(t) = M(0)exp(–t/?), (2)
где M(0) — начальное значение намагниченности, параметр ? — время релаксации.
Это напоминает процесс релаксации в парамагнетиках, изучаемый обычно с помощью техники электронного парамагнитного резонанса. Однако есть и существенные различия. Для парамагнетиков время релаксации ? приближенно равно 10-7—10-12 с, а для малых магнитных частиц значительно больше — на многие порядки величины! Обе системы различаются и по величине спина частиц s. В случае парамагнетика s приближенно равно 1 и элементарный магнитный момент атома ? = 2?B, где ?B — магнетон Бора. В ансамбле ультрамалых частиц каждая имеет огромный полный спин ? >> 1 и, следовательно, огромный магнитный момент ? = 2?B? >> ?B: типичные значения ? ~ (103—104)?B. Неель назвал материалы, которые можно рассматривать с точки зрения магнетизма как ансамбли независимых малых магнитных частиц, суперпарамагнетиками, а их квазипарамагнитное поведение — суперпарамагнетизмом. Из формулы (2) следует важный вывод: магнитные характеристики суперпарамагнитных материалов могут лишь медленно изменяться со временем; помимо магнитной релаксации такое поведение называют также магнитным последействием или магнитной вязкостью. Основная величина, определяющая скорость магнитной релаксации Г (или t–1 ) суперпарамагнетика, как установил тот же Неель, следует закону Аррениуса, уменьшается с понижением температуры
? -1 = f0 exp(–DU/kT), (3)
где k — постоянная Больцмана, DU - величина энергетического барьера, T — температура. Величина энергетического барьера выражается через объем частицы V и плотность энергии магнитной анизотропии K: DU = KV. Предэкспоненциальный множитель f0 для типичных магнитных частиц лежит в интервале 10-9—10-10 с–1. Время релаксации сильно зависит от объема частицы. Например, для сферической частицы Fe при специально подобранных параметрах оно может быть соответственно и 30 лет, и 7 суток.
Регистрация кривой перемагничивания суперпарамагнетиков часто дает существенно разные зависимости — все определяется временным масштабом измерительного процесса. У очень малых частиц время релаксации ? бывает достаточно малым, поэтому при измерении с небольшим временным разрешением магнитный момент частицы совершает несколько переходов между минимумами энергии. В этом случае при внешних полях, близких к нулю, измеренное среднее значение намагниченности окажется также равным нулю. Поведение системы таких малых частиц в магнитном поле будет казаться вполне аналогичным поведению ансамбля парамагнитных атомов, для которых гистерезис намагниченности отсутствует. При достаточно быстрых измерениях, когда переходы между минимумами энергии не успевают произойти, на кривой перемагничивания наблюдается гистерезис.
В последние годы было обнаружено нарушение закона Аррениуса при T около абсолютного нуля. Вместо того чтобы стремиться к нулю, скорость релаксации выходит на некоторую константу. Эту особенность в поведении магнитной релаксации при очень низких температурах связывают с явлением макроскопического квантового туннелирования. Последнее означает, что при достаточно низкой температуре, когда термические флуктуации малы и не могут “перебрасывать” магнитный момент через барьер между соседними потенциальными ямами, этот вектор может переориентироваться в результате квантовой флуктуации или, другими словами, протуннелировать из одного минимума энергии (метастабильного) в другой (равновесный).
Вмешивается квантовая механика. Новое интересное явление обнаружилось, когда изучали, как скорость магнитной релаксации ультрамалых частиц зависит от температуры. В соответствии с (3) при приближении температуры к абсолютному нулю эта величина должна также стремиться к нулю. Однако целый ряд недавних экспериментов показывает, что это не так: на самом деле скорость релаксации стремится к ненулевому пределу. Этот факт исследователи связывают с процессом макроскопического квантового туннелирования (МКТ) намагниченности, когда при достаточно низкой температуре магнитный момент может переориентироваться в результате уже не тепловой, а квантовой флуктуации.
Использование термина “туннелирование” для квантового перехода магнитного момента из метастабильного состояния в равновесное представляется несколько необычным. Действительно, термином “туннельный переход” принято называть переход (“просачивание”) реальной частицы в пространстве под потенциальным барьером. Классический пример такого перехода — туннельный выход a-частицы из ядра (a-распад). Это явление впервые теоретически описали в 1928 г. Г.А.Гамов и, независимо, Р.Гёрни и Э.Кондон.
Туннельный эффект легко интерпретировать на основе соотношения неопределенности Гейзенберга. Согласно классической механике, частица не может находиться внутри потенциального барьера, если ее полная энергия E меньше высоты барьера DU. В противном случае ее кинетическая энергия
p2/2m = E – DU,
(где p — импульс и m — масса частицы) стала бы отрицательной, а импульс p — мнимой величиной (квадратный корень из отрицательного числа). Однако в квантовой механике ситуация выглядит иначе: если зафиксировать положение частицы в пространстве, то вследствие принципа Гейзенберга импульс становится неопределенным. Поэтому вероятность обнаружения частицы в той области, которая запрещена с точки зрения классической механики, в частности под потенциальным барьером, уже не равна нулю. Отсюда следует, что не равна нулю и вероятность прохождения частицы через потенциальный барьер конечной ширины. Эта вероятность тем больше, чем уже и ниже барьер и чем меньше масса частицы.
Скорость квантового туннелирования Г, т.е. вероятность подбарьерного прохождения частицы в единицу времени, зависит от параметров барьера так, что соответствующая формула напоминает соотношение для скорости термостимулированного процесса
? = f0exp(–B). (4)
Константа Гамова B в простейшем случае барьера прямоугольной формы толщиной Dx и высотой DU равна
B = 2?–1(2mDU)1/2Dx, (5)
где ? — постоянная Планка.
Возвращаясь к туннелированию намагниченности, мы видим, что в этом случае также имеется барьер, разделяющий метастабильное и стабильное состояния, но по оси абсцисс откладывается не реальная координата x, а угловая переменная ?. Если нужно определить не перемещение частицы в пространстве, а переориентацию магнитного момента или спина частицы через запрещенный интервал углов (чтобы иметь данное направление спина, частице не хватает энергии)? Как быть в этом случае? Удобно, как это часто делается в физике, использовать язык аналогий. Естественно сравнить между собой формулы для кинетических энергий поступательного движения T = mx2/2 и вращательного T = J?2/2. Очевидно, аналогами x и m являются ? и момент инерции J; место потенциальной энергии U(x) в этом случае занимает энергия E(?) (1). Эта эвристическая аналогия позволяет легко адаптировать вышеприведенные формулы к случаю туннелирования спина (или магнитного момента).
Параметрами энергетического барьера для магнитного момента можно управлять при помощи внешнего магнитного поля. Элементарный анализ функции E(?), определяемой формулой (1), показывает, что высота барьера равна
DU = KV(1 – H/Hc)2 = KVe2, (6)
где введен безразмерный параметр e = (1 – H/Hc). Ширина барьера (длина туннелирования) D? оценивается при H ~ Hc как D? ~ e1/2. Момент инерции практически не зависит от внешнего магнитного поля. Подставляя DU и D? в (5), получим B ~ e3/2. Таким образом, манипулируя магнитным полем, можно эффективно уменьшить высоту и ширину энергетического барьера для магнитного момента и создать благоприятные условия для квантового туннелирования.
Точные вычисления дают следующую оценку для константы Гамова [4]
(7)
(S - полный спин частицы).
Зная химический состав, нетрудно связать величину спина с полным числом атомов N в ней. Например, для частицы железа S ~ 5N/2.
Имеется переход (кроссовер) от режима термостимулированной релаксации к процессу квантовой релаксации. Характерную температуру T*, при которой происходит такой переход, можно определить, приравнивая отношение DU/kT в показателе экспоненты (3) к константе Гамова B. В результате получим для температуры кроссовера
(8)
Формулы (7) и (8) определяют оптимальные условия для наблюдения процесса макроскопического квантового туннелирования намагниченности. В частности, для увеличения температуры кроссовера необходимо выбирать частицы достаточно малого размера (меньше или равен 5 нм) из материалов с малой намагниченностью M и высокой энергией магнитной анизотропии.
Редкоземельные магнитные материалы и некоторые ферриты обладают подходящими свойствами. Полагая M = 300 Гс, K = 108 эрг/см3, R = 4 нм, получим B = 104e3/2. Вблизи поля переключения, когда e ~ 2Ч10-2, константа B ~ 30, и температура перехода T* ~ 2.5 K, при этом скорость квантовой релаксации Г ~ 10–2 с–1, т.е. квантовое размагничивание такой частицы происходит примерно в течение минуты.
В рассматриваемом процессе происходит когерентное туннелирование большого числа спинов (N порядка 104). Поэтому этот эффект и называется макроскопическим квантовым туннелированием.
Открытие Макроскопического Квантового Туннелирования — одно из наиболее впечатляющих достижений физики конденсированного состояния за последнее десятилетие ХХ в. Этот эффект очень важен для понимания закономерностей перехода от классических представлений к квантовой физике — промежуточной области, где до сих пор остается много неясных вопросов. С другой стороны, напомним, что именно наномагниты, с их характерным квантовым поведением, считаются первыми кандидатами на роль материальной базы квантовой информатики — новой научной дисциплины 21-го столетия.
Явление макроскопического квантового туннелирования. При достаточно низкой температуре, когда термические флуктуации малы и не могут “перебрасывать” магнитный момент через барьер между соседними потенциальными ямами, этот вектор может переориентироваться в результате квантовой флуктуации или, другими словами, протуннелировать из одного минимума энергии (метастабильного) в другой (равновесный).
Хотя насыщение в температурной зависимости скорости магнитной релаксации при T близком к абсолютному нулю наблюдалось экспериментально во многих системах, у исследователей оставалось чувство неудовлетворенности, поскольку такой важный параметр как объем V туннелирующего нанокластера был плохо контролируемой величиной. А ведь зависимость скорости релаксации от объема V очень сильная (экспоненциальная), поэтому даже небольшой разброс в величине объема V приводит при низких температурах к большой неопределенности результатов. Естественным поэтому было стремление экспериментаторов найти объекты, в которых этот важный параметр - объем V - был бы строго фиксирован. И такие физические объекты были найдены. Ими оказались высокоспиновые металлорганические молекулы, которые построены с участием ионов переходных элементов (Fe, Mn и др.). Подобные молекулы также часто называют магнитными кластерами.
Идея, что туннелировать через потенциальный барьер может не только материальная частица, а некая характеристика квантовой системы (в данном случае магнитный момент), получила дальнейшее развитие. Появились работы, в которых исследуется туннелирование необычных и весьма сложных “объектов”, в качестве которых выступают особенности в распределении поля спиновой плотности в кристалле, пленке, нанопроволоке. Такими особенностями могут быть доменные стенки, солитоны, магнитные вихри. Типичный размер подобных образований 1—100 нм. Их уместно назвать магнитными квазичастицами, так как их динамические свойства напоминают свойства материальных частиц — как и последние, они могут обладать массой, импульсом, энергией, скоростью и т.д.
Естественно, они могут туннелировать и между состояниями с одинаковой энергией, которые различаются распределениями спиновой плотности. Возможно даже туннельное рождение магнитных квазичастиц из “вакуума”, в качестве которого в данном случае выступает пространственно однородное распределение спинов. Важно только, чтобы были удовлетворены все необходимые законы сохранения: энергии, импульса, углового момента. Это очень богатая область, и главные открытия здесь еще впереди.
К магнитной памяти на наноструктурах. Итак, замечательное свойство некоторых магнитных кластеров (Mn12, Fe8 и др.) - молекулярная бистабильность. Это означает, что магнитная молекула может находиться в двух состояниях, различающихся, скажем, ориентацией магнитного момента относительно некоторого направления. Переходы между этими состояниями могут быть индуцированы, например, магнитным полем. Другими словами, такая молекула представляет собой естественный запоминающий элемент. Для характерного расстояния между молекулами ~10 нм плотность записи информации в такой молекулярной памяти превышала бы 100 гигабит/см2. Это, конечно, впечатляет, но даже если решить проблему записи и считывания, останется еще одна трудность - конечное время хранения информации. При температуре 1.5 K время магнитной релаксации в системе с Mn12, достигая большой величины ~ 08с, все же оказывается недостаточным для современных компьютеров; нужны более крупные молекулы.
Весьма интересна еще одна группа магнитных молекул с несколько отличным механизмом бистабильности. В некоторой области внешних параметров эти молекулы также могут находиться в двух различных электронных состояниях. Одно из них (А) характеризуется нулевым или малым значением спина, другое (B) - высоким. Обычно одно из этих состояний - основное, другое - метастабильное. Спиновые переходы AхB возникают при совпадении энергий их уровней и могут быть индуцированы действием света или магнитного поля. Такая бистабильность реализуется, например, в магнитных полимерах, содержащих двухвалентные ионы железа.
Плотность записи информации и быстродействие компьютеров пока возрастают со временем по экспоненциальному закону. Очевидно, обе величины напрямую связаны между собой, и увеличение первой влечет за собой увеличение второй. Быстрое усовершенствование магнитных носителей достигнуто во многом благодаря использованию мелкозернистых магнитных сред с малым взаимодействием между зернами. Это обеспечивает низкий уровень шумов и в конечном счете высокие значения плотности записи и быстродействия (1—2)·107 бит/см2 и (2·106—109) бит/с (скорость считывания). К 2005 г. планируется выйти на 109 бит/см2 и 2·109 бит/с при толщине магнитного носителя около 30 нм. А вообще считается, что на этом пути можно достичь плотности записи до 1010 бит/см2, что ограничивается минимальным размером запоминающего элемента (“размером бита информации”) ~ 100 нм.
Стратегия повышения плотности информации основана на концепции “отдельная частица — один бит информации”. Это означает, что запись бита должна производиться в отдельную частицу магнитного носителя. При этом магнитная память ближайшего будущего рассматривается как система слабо связанных между собой частиц. Такой магнитный носитель информации называют квантовым диском. Но в ближайшем будущем (при размере зерна порядка 10 нм) вступят в действие ограничения, связанные с тепловыми флуктуациями. Число атомов в элементе будет настолько малым, что элемент станет нестабильным относительно тепловых флуктуаций при комнатной температуре и память придется охлаждать, чтобы понизить скорость спонтанного термостимулированного переключения элементов. На следующем этапе придется учитывать ограничивающее влияние квантовых флуктуаций, т.е. спонтанных переключений путем макроскопического квантового туннелирования.
Компьютеры и информация в квантовом мире. Квантовые свойства магнитных молекул, да и в целом - магнитная мезоскопика, представляют интерес в проблеме квантовых компьютеров, а также в задачах квантовой телекоммуникации и криптографии (“квантовой информатики”).
Информация в квантовом компьютере кодируется в квантовых битах или q-битах. Как и бит, q-бит реализуется в системе с двумя состояниями (условно 0 и 1), но, в отличие от первого, второй допускает суперпозицию этих состояний и, значит, более “информативен”. Физической реализацией q-бита может служить любая двухуровневая система (спин, фотон, атом, молекула, ион), волновая функция которой определяет все его значения. Сообщение представляет собой последовательность N q-битов, т.е. отвечает волновой функции N переменных. Каждому элементу алгебры логики может быть поставлен в соответствие свой гамильтониан в пространстве состояний бистабильной системы.
Вычисления отвечают законам эволюции состояний квантовой механики и, следовательно, описываются решениями уравнения Шредингера. Последнее обратимо во времени, поэтому вычисления и не сопровождаются потерей информации.
Простейший логический элемент - оператор преобразования между чистыми состояниями 0?1. Для спиновой системы этому оператору отвечает одна из матриц Паули ?x. Если в качестве значений q-бита выступает проекция спина или поляризация фотона, то такая операция представляет собой поворот соответствующего вектора на угол p/2. В классической информатике этому элементу соответствует операция “не”. Уже найдены и экспериментально опробованы реализации и других логических элементов, так что на сегодня в квантовой информатике в принципе известно, как осуществить вычисления для произвольной логической функции.
Квантовый компьютер в целом представляет собой систему, состоящую из определенного набора ячеек, состояния которых кодируются q-битами, и логических элементов; состояние компьютера в любой момент времени определяется полной волновой функцией, зависящей от координат всех ячеек и их состояний. Эволюция во времени (процесс вычислений) определяется Гамильтонианом квантового компьютера.
Информация (классическая) на “входе” компьютера задает состояния всех ячеек в начальный момент времени, информация на “выходе” определяется их состояниями по окончании процесса вычислений. Главное достоинство квантового компьютера основано на использовании принципа суперпозиции, позволяющего обрабатывать информацию параллельно, что колоссально ускоряет вычисления. Например, квантовый компьютер, оперирующий с 200 q-битами, может достичь такого же эффекта при разложении 400-разрядного числа на простые множители (это важная задача криптографии), как 2200 одновременных вычислений с классическими битами. Невозможно представить себе обычный компьютер с таким количеством процессоров. Специалисты говорят по этому поводу, что квантовый компьютер может производить подобные вычисления экспоненциально быстрее, чем лучшие из известных в настоящее время классических алгоритмов.
Если квантовый компьютер столь эффективен, что мешает его созданию? Фундаментальная проблема здесь - потеря когерентности сложной и весьма запутанной волновой функции компьютера за счет взаимодействия с окружением. Причем, как отмечено выше, это взаимодействие разрушает в первую очередь именно квантовые корреляции, которые и составляют основу параллельной работы квантового компьютера. В настоящее время разрабатываются специальные схемы защиты квантовой информации от влияния окружения, главным образом за счет введения избыточности и на этом пути достигнуты успехи.
Другая серьезная проблема - обеспечение ввода и вывода информации и управление логическими элементами на атомном уровне. Магнитные молекулы здесь представляются особенно перспективными, поскольку они обладают большим спином в сочетании с бистабильностью, и, следовательно, достаточно сильным взаимодействием между собой и с внешними приборами. Роль бистабильной двухуровневой системы в этом случае может играть мезоскопический спин магнитной наночастицы. Благодаря сильной (экспоненциальной) зависимости частоты туннелирования от высоты потенциального барьера могут быть созданы элементы логики, управляемые изменением его высоты.
Квантовые методы обработки и передачи информации (криптография и телекоммуникация) уже выходят из лабораторий в мир практики. На этом пути решаются и технологические задачи конструирования наноструктур и создания суперпарамагнетиков.
Суперпарамагнетики. К суперпарамагнетикам относятся ультрадисперсные магнитные материалы, среди которых есть и полимеры, и пластмассы, и жидкости, и жидкие кристаллы, а также нанокомпозитные металлические и органические с магнитными компонентами пленки. Изучение суперпарамагнетизма ультрадисперсных сред проводится представляет один из перспективных разделов современного материаловедения и инженерии, объединяемых понятием “высокие технологии”. Физика таких нанокомпозитных материалов и структурированных ансамблей, конечно, существенно зависит от индивидуальных свойств составляющих их наночастиц, но часто возникают общие черты в поведении материалов, обусловленные взаимодействием между частицами.
Библиография
Звездин А.К. Магнитные молекулы и квантовая механика//Природа. 2000. №12
Звездин К.А. Особенности процесса перемагничивания трехслойных магнитных наноструктур//ФТТ. 2000. Т. 42. № 1
Звездин А.К., Звездин К.А. Суперпарамагнетизм сегодня: магниты–карлики на пути в мир квантов//Природа. 2001. № 9
Кондорский Е.И. К теории однодоменных частиц//ДАН СССР. 1952. Т. 82. № 3
Фейнман Р., Лейтон Р., Сэндс М. Фейнмановские лекции по физике. М., 1965
Garcia N., Munoz M. and Zhao Y.-W. Magnetoresistance in excess of 200% in Ballistic Ni Nanocontacts at Room Temperature and 100 Oe//Phys. Rev. Lett. 1999. V. 82. № 14
Gunter L. Quantum tunneling of magnetization/Magnetic properties of fine particles/Ed. by J.L.Dormann and D.Fiorani. Amsterdam, 1991
Rottmann F. and F. Dettmann F. New magnetoresistance sensors: Engineering and applications//Sensors and Actuators. 1991. V. 25. № 763
Zvezdin A.K. Field-induced phase transitions in ferrimagnets//Handbook of Magnetic Materials. 1995. V. 9
Zvezdin A.K., V.A.Kotov V.A. Modern magnetooptics and magnetooptical materials/IOPPublising. UK, 1997
Zvezdin A.K. and K.A.Zvezdin K.A. Spontaneous Transformations of the Magnetic Structre of a Film Nanocontact//JETP Lett. 2002. V. 75. № 10
Youfeng Zheng, Jian-Gang Zhu, GMR Multilayer Random Access Memory Cells//Digests of Intermag. 1997. CB-04